工作职责： 1. 作为技术专家，从事28/22纳米e-Flash平台的研发，内容包括且不限于e-Flash bit cell 结构、性能优化，可靠性提高，与逻辑平台或者BCD工艺平台的兼容，HV 器件的性能、可靠性提升等。
2.作为项目负责人，从事28/22纳米e-Flash平台的研发。和公司内部多方部门进行紧密合作，分工协作推进项目研发的快速进行。积极与该平台客户互动，在配合客户需求的基础上提供全面的建议，打造贴近市场的业界高水平工艺平台。


任职资格：
1、5年以上工艺整合、器件开发经验；
2、3年以上28/22纳米节点平台研发经验，熟悉不同应用场景对flash IP 规格、可靠性需求，熟悉影响flash IP性能、可靠性关键工艺参数，了解基础平台IP,具有汽车电子应用开发经验优先。




重要备注：工作地点在北京大兴，请注意；
重要备注：工作地点在北京大兴，请注意；

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上班地址：-上海-中芯国际集成电路制造(上海)有限公司