职位描述 1、从事功率半导体器件的研发，主要是二极管，三极管，mosfet和IGBT研发
2、负责在6寸晶圆工厂建立二极管，三极管，mosfet和IGBT开发平台，负责开发
二极管，三极管，mosfet和IGBT
工作技能：TCAD仿真，版图设计，origin等数据工具。 任职要求 1. 一类院校微电子或电子工程专业，本科及以上学历
2、熟悉电子元件，三年以上电子元件研发经验
3、没有相关行业经验 请勿投递！
福利待遇：单双周制度、员工享有社保、完善的培训体系、法定假日、带薪年假等、旅游活动、聚会等
伯恩半导体创立2012年，致力成为分立器件领导者，下属自有工厂3家。总部设于深圳市，目前在无锡、武汉，西安，成都，香港设有分公司。
核心团队由国内一流的分立器件研发资深人士组成，拥有超过15年的从业经验。目前专注于功率器件IGBT,碳化硅二极管MOS，高性能模拟IC的开发；专注于高性能、高可靠性的TVS MOSFET \u0026 超低Vf肖特基管,驱动IC,模拟芯片的研发、生产及销售。
产品广泛应用于手机，音箱、耳机、机顶盒，网通路由器、逆变器、交换机、锂电保护、 汽车电子、无人机，高功率马达驱动等领域，成立至今累计客户超过1000家。

公司网站：www.born-tw.com

上班地址：-江苏-无锡-伯恩半导体